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上海艾斯达电子
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产品信息
特性
- 高紫外灵敏度：QE＝75 % (λ=200 nm)
- 抑制近红外灵敏度
- 低暗电流
- 高可靠性
感光面积
1.1 × 1.1 mm
象元数
1
封装
金属
封装类型
TO-18
制冷
非制冷
反偏电压（）
5 V
光谱响应范围
320 to 1000 nm
峰值波长
720 nm
灵敏度
0.36 A/W
暗电流
2 pA
上升时间（典型值）
0.15 μs
结电容
35 pF
测试条件
Ta=25 ℃， 除非特别说明均为典型值。灵敏度：λ=720 nm，暗电流： VR=10 mV，结电容： VR=0 V f=10KHz
