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上海艾斯达电子
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产品信息
产品特点
表压、真空和复合压力型
通用型和冲洗型外壳
薄膜较厚，结构上使耐压性能提高
采用CVD 传感元件提供高稳定性
典型应用
工程机械车辆.工业生产设备.水处理系统.泵和压缩机.工业电机.加固工系统
产品介绍
先进的Psibar传感器制造技术使Gems 1200压力传感器具有出众的稳定性和长期的可靠性,Psibar 的制造使用了等离子化学沉淀（CVD）技术，一个等离子气流引导化学蒸汽将一层薄薄的硅和氧化硅沉积在不锈钢基底上，形成一个非常灵敏的多晶硅应变片。
Gems 1200/1600压力传感器具有稳定性和坚固性，因为它采用CVD 和ASIC（特定用途集成电路）设计并结合采用较厚的薄膜。这较厚的薄膜使得Gems 1200/1600压力传感器可以承受因泵搅动和电磁阀等引起的压力峰 值。Gems 1600 系列为工业应用提供全焊接不锈钢后端，扩展了封装选择。Gems 1200/1600压力传感器的模块设计使辅配件和电缆的特别定购成为可能适合OEM 应用。采用ASIC 和CVD 技术使得 Gems 公司几乎可以提供任何压力范围下任何输出量的产品。
产品性能参数
| 压力量程 | 真空至400 bar (6000psi)( 仅对表压数据) |
|---|---|
| 耐压 | 4 x 满量程 (FS) (<1%FS 零偏移) |
| 疲劳寿命 | 设计超过 100,000,000 次满量程循环 |
| 精度 | 0.5% FS，标准值 |
| 补偿温度 | -20℃至80℃ (-5° F 至180° F) |
| 工作温度 | -40℃至125℃ (-40° F 至260° F)，对于电气连接代码 A, B, C, 1 而言 |
| 零点允差 | 1% 量程 |
| 量程允差 | 1% 量程 |
| 振动 | 正弦曲线，峰值35g，5 Hz 至2000Hz |
| 加速度 | 在任意方向施加100g 的稳定加速度，1bar (15 psi) 量范围时为0.032 % FS/g， 400bar (6000 psi) 范围时，按对数递减至0.0007% FS/g。 |
| 冲击 | 经受住按国际电工委员会IEC 68- 2- 32 程序1 的自由落体试验 |
| CE |
